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電子元器件為什么要做可靠性試驗(yàn)
概述
電子元器件可靠性增K分析是Z近發(fā)展起來(lái)的評(píng)價(jià)產(chǎn)品可靠性的一種新技術(shù),是在 產(chǎn)品研制階段,通過(guò)試驗(yàn)的方法來(lái)暴露電子元器件可靠性的薄弱環(huán)節(jié),提供受試元器件在 規(guī)定條件下失效模式(失效的外部表現(xiàn)。如發(fā)射機(jī)無(wú)輸出功率,接收機(jī)靈敏度降低等)和 失效機(jī)理(導(dǎo)致失效的內(nèi)在原因,研究與失效有關(guān)的物理、化學(xué)過(guò)程和變化)的工程信息, 通過(guò)深入細(xì)致的分析研究,尋找并確定有效的改正措施,防止失效的再次出現(xiàn),使得電子 元器件的固有可靠性得到確實(shí)的提高(增長(zhǎng))。所以,電子元器件可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)(及可靠 性研制試驗(yàn))不是以評(píng)定某個(gè)統(tǒng)計(jì)試驗(yàn)方案是否通過(guò)為目的,而是通過(guò)試驗(yàn)一分析一改 進(jìn)一再試驗(yàn)的方法,以求得產(chǎn)品可靠性增長(zhǎng)的一種試驗(yàn)。因此,可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)的要求, 對(duì)受試產(chǎn)品可靠性的評(píng)價(jià)方法與一般的鑒定試驗(yàn)、驗(yàn)收試驗(yàn)不*一樣。美國(guó)*標(biāo)準(zhǔn) MIL - STD — 2068是可靠性研制試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)。MIL — STD —1635是可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn) 方法標(biāo)準(zhǔn)。都為可靠性增長(zhǎng)分析和可靠性增長(zhǎng)評(píng)價(jià)提供了科學(xué)方法。現(xiàn)在有很多產(chǎn)品在 研制階段沒有進(jìn)行可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn),以致在定型時(shí)、定型后的可靠性試驗(yàn)中,或在定型后 的現(xiàn)場(chǎng)使用中,暴露出大Z的質(zhì)Z和可靠性問(wèn)題,通過(guò)對(duì)失效的分析研究,采取一些改進(jìn) 措施,提高了產(chǎn)品的可靠性水平。這樣做對(duì)提高產(chǎn)品的可靠性、滿足用戶要求等是有益 的、必需的。但是,產(chǎn)品已經(jīng)定型生產(chǎn)了,并在現(xiàn)場(chǎng)已實(shí)際使用,再進(jìn)行改進(jìn)付出的代價(jià)是 很大的,難免造成很大的浪費(fèi)。如果在研制階段就進(jìn)行可靠性增長(zhǎng)分析,將產(chǎn)品的失效模 式及失效機(jī)理消除在搖籃中,就可以避免定型后進(jìn)行返工或改進(jìn)造成的人力、物力的浪 費(fèi)。更可以避免產(chǎn)品在現(xiàn)場(chǎng)使用中,因失效所造成的嚴(yán)重的有時(shí)是不可彌補(bǔ)的損失,同時(shí) 還可以大大縮短產(chǎn)品的研制周期。有許多的實(shí)例說(shuō)明,產(chǎn)品研制階段單純地進(jìn)行功能和 性能設(shè)計(jì),雖然樣機(jī)研制出來(lái)了,但由于可靠性水平低,而不能定型,或者勉強(qiáng)定型了,但 生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品不能滿足實(shí)際現(xiàn)場(chǎng)使用要求,造成很大浪費(fèi),失去很多寶貴時(shí)間。例如, 某通信設(shè)備,從功能和性能設(shè)計(jì)到做出8臺(tái)樣機(jī)只花了兩年多時(shí)間,但由于可靠性過(guò)不了 關(guān),于是,進(jìn)行元器件可靠性攻關(guān)試驗(yàn)和整機(jī)可靠性改進(jìn),花費(fèi)的時(shí)間達(dá)四年之多。還有 某公司生產(chǎn)的定向指揮儀,*的300多臺(tái)設(shè)備不可靠不能使用,要重新花錢買一批新設(shè) 備,同時(shí)拆舊裝新還浪費(fèi)了大Z的人力和時(shí)間。所以,產(chǎn)品可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)和產(chǎn)品可靠性 增長(zhǎng)分析,在產(chǎn)品研制中處于非常重要的地位。產(chǎn)品可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)?zāi)苁巩a(chǎn)品可靠性達(dá) 到預(yù)期的水平,并能縮短試制周期,減少試制經(jīng)費(fèi)。
可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)是電子元器件可靠性試驗(yàn)的一種類型,適用于各類銦電子元器件的 可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn),而且與鑒定試驗(yàn)和驗(yàn)收試驗(yàn)一樣是電子元器件整個(gè)可靠性工程的一個(gè) 重要組成部分。可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)的方法和標(biāo)準(zhǔn)是與可靠性名詞、術(shù)語(yǔ)、鑒定試驗(yàn)與驗(yàn)收試 驗(yàn)、環(huán)境試驗(yàn)、設(shè)備可靠性預(yù)計(jì)手冊(cè)等標(biāo)準(zhǔn)配合使用的。除了本章的內(nèi)容外,以上各章所 述的基本理論和要求,只要適用于可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn),都可以直接應(yīng)用。